（２０１５年０９月納品）
- 本プローブは極低温（５０Ｋ以下）でＭＡＳ／ＤＮＰを行うプローブである。使用により、ＬＦ，ＨＦとも放電が生じたため修理・改修した。
- ＨＦの放電はサンプルコイルの交換で治まった。ＬＦの放電に関しては、使用しているボルトロニクス社の可変コンデンサ（バリコン）に問題があることを突き止めた。
- 現行品でロットの新しいものは回転抵抗が大きく、低温での使用に問題があった。製造元にトルク管理されたものを特注することにより解決した。
- 現行ロット品はＲＦ耐圧が低下しており、Ｈｅ環境下ではバリコン内部で放電しやすいことが判明した。ＬＦ回路の工夫（チップコンデンサによる電圧分割）により対応した。
（２０１５年１２月納品）
- ３．２ｍｍ単核プローブ・・・・・・・ＬＦ回路の放電。これに関しては、回路方式に改良を加えた。その上で、ボルトロニクス社のバリコンにも改良を加えＲＦ耐圧を向上させた。
- ２．５ｍｍ３核プローブ・・・・・・・ＨＦ回路の放電。本プローブは高周波での耐圧を上げるために、平行共振器回路を使用しているが、ＨＦ回路に使用しているボルトロニクス社のバリコンで放電が起こった。最終的にはこのバリコンに耐圧向上処理（内部の改造）を行い対応した。
- 以上いずれのケースでも、市販バリコンのＲＦにおける耐放電性が不足しており、何らかの対策が必要であった。
（２０１５年１１月納品）
- ゴニオ付電場印加プローブ
- 観測核は２Ｈ単核である。
- サンプルは２枚の薄いガラス板（サンドイッチセル）に挟んで１０Φのコイル中入れる。ガラス板には導電性のＩＴＯコーテイングが施されており、この板の間に電場を印加して、サンプル（液晶）の２Ｈスタテイックスペクトルの電場依存性を測定することが出来る。
- さらにこのプローブは、外部から磁場に対するサンプルの角度を変えることが出来る。サンプル温度は、上部よりＮ２ガスを送って可変できるＣＭＸ方式である。